Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 7 Issue 1
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- Pages.73-82
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- 1998
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Silicon Surface Micro-machining by Anhydrous HF Gas-phase Etching with Methanol
무수 불화수소와 메탄올의 기상식각에 의한 실리콘 표면 미세 가공
- Jang, W.I. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Choi, C.A. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Lee, C.S. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Hong, Y.S. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Lee, J.H. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Baek, J.T. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Kim, B.W. (Semiconductor Technology Division, Electronics and Telecommunications Research Institute)
- 장원익 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 최창억 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 이창승 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 홍윤식 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 이종현 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 백종태 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 김보우 (한국전자통신연구원 반도체연구단)
- Published : 1998.01.31
Abstract
In silicon surface micro-machining, the newly developed GPE(gas-phase etching) process was verified as a very effective method for the release of highly compliant micro-structures. The developed GPE system with anhydrous HF gas and
실리콘 표면 미세가공에 있어서, 새로 개발된 HF 기상식각 공정은 미소구조체들을 띄우는데 매우 효과적임을 입증하였다. 무수 불화수소와 메탄올을 이용한 기상식각 시스템에 대한 기능 및 특성을 기술하였고, 실리콘 미세구조체룰 띄우기 위한 회생층 산화막들의 선택적 식각특성이 고찰되었다. 구조체층으로는 인이 주입된 다결정실리콘이나 SOI 기판의 단결정실리콘을 사용하였다. 회생층으로는 TEOS 산화막, 열산화막, 저온산화막을 사용하였다. 기존 습식식각과 비교해 볼 때, 공정에 기인된 고착현강이나 잔류물질이 없는 미세구조체를 성공적으로 제작하였다.
Keywords