Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 7 Issue 1
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- Pages.67-72
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- 1998
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Photoelectric Properties of PbTe/CuPc Bilayer Thin Films
PbTe/CuPc 이층박막의 광전 특성
- Lee, Hea-Yeon (Pukyong National University, College of Natural Sciences, Department of Chemistry Physics) ;
- Kang, Young-Soo (Pukyong National University, College of Natural Sciences, Department of Chemistry Physics) ;
- Park, Jong-Man (Pukyong National University, College of Natural Sciences, Department of Physics) ;
- Lee, Jong-Kyu (Pukyong National University, College of Natural Sciences, Department of Physics) ;
- Jeong, Jung-Hyun (Pukyong National University, College of Natural Sciences, Department of Physics)
- 이혜연 (부경대학교 자연과학대학 화학과) ;
- 강영수 (부경대학교 자연과학대학 화학과) ;
- 박종만 (부경대학교 자연과학대학 물리학과) ;
- 이종규 (부경대학교 자연과학대학 물리학과) ;
- 정중현 (부경대학교 자연과학대학 물리학과)
- Published : 1998.01.31
Abstract
The crystallized CuPc and PbTe films are formed by thermal evaporation and pulsed ArF excimer laser ablation. Structural and electrical properties of thin film is observed by XRD and current-voltage(I-V) curves. From XRD analysis, both PbTe and CuPc thin films show a-axis oriented structure. For the measurement of photovoltaic effect, the transverse current-voltage curve of CuPc/Si, PbTe/Si and PbTe/CuPc/Si junctions have been analyzed in the dark and under illumination. The PbTe/CuPc/Si junction exthibits a strong photovoltaic characteristics with short circuit current(
Plused ArF excimer laser ablation과 열증착법에 의해 p형 Si 기판위에 PbTe/CuPc 박막을 증착하였다. 성장된 박막의 구조적, 전기적 특성은 XRD, 전류-전압 곡선등의 분석으로 행하였다. XRD 분석으로부터 PbTe박막과 CuPc 박막은 a 축의 배향성을 지닌 박막으로 성장하였음을 알 수 있었다. PbTe/CuPc/Si 박막의 광전특공을 조사하기 위하여 빛을 조사했을 때와 빛을 조사하지 않았을 때의 수직방향의 전류-전압 (I-V) 특성을 CuPc/Si, PbTe/Si 단층막의 특성과 비교 관찰하였다. PbTe/CuPc/Si 박막에서 단축 광전류 (
Keywords