E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제10권10호
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- Pages.1029-1033
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- 1997
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
$BaMgF_4$ /Si 구조를 이용한 비휘발성 메모리용 MFSFET의 제작 및 특성
Fabrication and Properties of MFSFET′s Using $BaMgF_4$ /Si Structures for Non-volatile Memory
초록
A prototype MFSFET using ferroelectric fluoride BaMgF
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