Effects of Buffer Layer and Annealing Temperature on Magnetororesistance in Co/Cu Multilayers

기저층 및 열처리 효과가 Co/ Cu 다층박막의 자기저항에 미치는 영향

  • Published : 1997.04.01

Abstract

Dependence of magnetoresistance on the thickness of Cu, type and thickness of buffer layer, and the stacking number of multilayer in the form buffer /$[Co(17{\AA}/Cu(t{\AA})]_{20}$ were investigated. To evaluate effect of annealing on this samples, X-ray diffraction analysis, vibrating sample magnetometer analysis, and magnetoresistance measurement (4-probe method) were performed. The magnetoresistance ratio exhibits a maximum of 21% for the multilayer with Cu thickness of 24$\AA$ and Fe buffer layer thickness of 50$\AA$. Deposition of film under low base pressure induces in increase magnetoresistance ratio by preventing oxidation. The multilayer annealed below 30$0^{\circ}C$ temperature allowed larger textured grain without loss in the periodicity. Magnetoresistance ratios of the multilayer with Cu thickness of 24$\AA$ and 36$\AA$ were increased due to the increase in the antiferromagnetically coupled fraction after annealing.

DC magnetron sputtering 방법에 의해 Corrnign glass위에 기저층인 Fe와 Cu의 두께를 다르게 하면서 buffer/[Co(17 .agns. )/Cu(t .angs. )]$_{N}$의 형태로 다층박막을 제작하여 자기저항비의 비자성층 Cu 층 두께, 기저층 종류와 두께, 다층박막의 층 수 의존성을 조사 하였다. 제작된 시료를 500 .deg. C 까지의 열처리를 행한 후 열처리가 이시료의 구조, 자기적 성질 및 자기저항에 미치는 여향을 조사하기 위하여 X-선 회절분석, 시료진동형자기계(VSM) 분석, 자기저항 측정을 하였다. Fe 기저층의 두께가 50 .angs. 이고 Cu 두께가 24 .angs. 일때 극대 자기저항비 21%가 관찰되었다. 낮은 base 압력 중에서 막의 증착은 산화를 억제하여 자기저항비를 증가시켰다. 400 .deg. C 까지의 시료에 대한 열처리는 다층박막의 주기성을 유지한채 더 큰 grain size를 갖게 하여 극대 자기저항비를 나타내는 Cu 두께를 갖는 시료들은 열처리 후 반강자성적으로 결합한 막의 부분이 증가함으로써 자기저항비가 증가 하다가 500 .deg. C에서는 계면의 확산에 의대 감소하였다.

Keywords

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