Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 6 Issue 4
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- Pages.328-336
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- 1997
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Growth of CdSe thin films using Hot Wall Epitaxy method and their photoelectrical characteristics
HWE방법에 의한 CdSe 박막 성장과 광전기적 특성
- Hong, K.J. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Lee, K.K. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Lee, S.Y. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- You, S.H. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Shin, Y.J. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Suh, S.S. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Jeong, J.W. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Jeong, K.A. (Department of Physics, Chosun Univ.) ;
- Shin, Y.J. (Department of Physics, Jeonbuk Nat'l Univ.) ;
- Jeong, T.S. (Department of Physics, Jeonbuk Nat'l Univ.) ;
- Kim, T.S. (Department of Physics, Jeonbuk Nat'l Univ.) ;
- Moon, J.D. (Department of Physics, Dongshin Univ.) ;
- Kim, H.S. (Kum Sung Environment College)
- 홍광준 (조선대학교 물리학과) ;
- 이관교 (조선대학교 물리학과) ;
- 이상열 (조선대학교 물리학과) ;
- 유상하 (조선대학교 물리학과) ;
- 신용진 (조선대학교 물리학과) ;
- 서상석 (조선대학교 물리학과) ;
- 정준우 (조선대학교 물리학과) ;
- 정경아 (조선대학교 물리학과) ;
- 신영진 (전북대학교 물리학과) ;
- 정태수 (전북대학교 물리학과) ;
- 김택성 (전북대학교 물리학과) ;
- 문종대 (동신대학교 물리학과) ;
- 김혜숙 (금성환경 전문대학)
- Published : 1997.07.31
Abstract
The CdSe thin films were grown on the Si(100) wafers by a hot wall epitaxy method (HWE). The source and substrate temperature are
HWE 방법에 의해 CdSe 박막을 (100)방향 Si 기판 위에 성장시켰다. 증발원과 기판의 온도를 각각
Keywords