E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제9권9호
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- Pages.969-977
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- 1996
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
Wide band-gap반도체의 물성 및 고주파용 전력소자의 응용
Materials properties of wide band-gap semiconductors and their application to high speed electronic power devices
초록
본고에서는 여러가지 Wide Band-gap중에서 특히 최근에 많은 관심을 끌고 있는 GaN와 4H-SiC, 6H0SiC의 전자기적 물성을 소개하고 현재 이들로부터 제작된 prototype소자들의 성능을 비교함으로써 그 발전현황을 알아보기로 한다. 본고에서 관심을 두는 소자분야는 광전소자(optoelectronic devices)라기보다는 고주파 고출력용 전력소자임을 밝힌다. 아울러 GaN로부터 제작된 MESFET(MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)소자의 고주파 대역에서의 Large-Signal특성을 Device/Circuit Model을 통하여 실험치와 비교하여보고 이로부터 최적화된 channel 구조를 갖는 소자구조에서의 RF특성을 조사한다.
키워드