전자공학회논문지A (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

정전류 스트레스 하에서 게이트 산화막의 항복 특성 예측

Prediction of gate oxide breakdwon under constant current stresses

  • 정태식 (연세대학교 전자공학과 반도체 연구실) ;
  • 최우영 (연세대학교 전자공학과 반도체 연구실) ;
  • 이상돈 (LG반도체㈜) ;
  • 윤재석 (연세대학교 전자공학과 반도체 연구실) ;
  • 김재영 (연세대학교 전자공학과 반도체 연구실) ;
  • 김봉렬 (연세대학교 전자공학과 반도체 연구실)
  • 발행 : 1996.07.01
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초록

A breakdown model of gate oxides under constant current stresses is proposed. This model directly relates the oxide lifetime to the stress current density, and includes statistical nature of oxide breakdown using the concept of "effective oxide thinning". It is shown tha this model can reliably predict the TDDB characteristics for any current stress levels and oxide areas.

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