Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 5 Issue 1
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- Pages.63-70
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- 1996
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Characteristics of the Silicon Epitaxial Films Grown by RTCVD Method
RTCVD 법으로 성장한 실리콘 에피막의 특성
- Chung, W.J. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Kwon, Y.K. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Bae, Y.H. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Kim, K.I. (Power Electronics Lab., RIST) ;
- Kang, B.K. (Dept. of Electrical Eng., POSTECH Univ.) ;
- Sohn, B.K. (Dept. of Electronics KyungPook Nat'l Univ.)
- 정욱진 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 권영규 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 배영호 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 김광일 (산업과학기술연구소 전력전자연구팀) ;
- 강봉구 (포항공과대학교 전자전기공학과) ;
- 손병기 (경북대학교 전자공학과)
- Published : 1996.01.31
Abstract
Silicon epitaxial films of submicron level were successfully grown by the RTCVD method. For the growth of silicon epitaxial layers,
RTCVD (rapid thermal chemical vapor deposition) 법을 이용하여 급준한 불순물 농도분포를 갖는 서브마이크론 두께의 실리콘 에피막을 성장하였다. 실리콘 에피막 성장은
Keywords