Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A (전자공학회논문지A)
- Volume 32A Issue 12
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- Pages.142-148
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- 1995
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- 1016-135X(pISSN)
Molecular beam epitaxial growth and characterization of Sb .delta.-doped Si layers using substrate temperature modulation technique
저온 변조 성장 기법을 이용하여 Sb가 ${\delta}$ 도핑된 다층 구조의 Si 분자선 박막 성장과 특성 분석
Abstract
Sb
Keywords