한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

  • 제4권2호
  • /
  • Pages.127-135
  • /
  • 1994
  • /
  • 1225-0562(pISSN)
  • /
  • 2287-7258(eISSN)
한국재료학회 (Materials Research Society of Korea)
권호 표지

직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구

Study on the Bonding Interface in Directly Bonded Si-Si and Si-$SiO_2$ Si Wafer Pairs

  • 발행 : 1994.04.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

직접 접합된 Si 기판들의 접합계면에 관하여 연구하였다. 경사 연마 및 결함묘사, 계면의 비등방성 식각, TEM 및 HR-TEM 등의 방법들을 이용하여 접합계면에 발생하는 계면결함과 과도영역, 여러형태의 void 들, 계면 산화막의 형성 및 안정화 과정등을 조사하였다. 또한 접합된 $Si-Sio_{2}$계면과 일반적인 $Si-Sio_{2}$계면의 형상등을 비교 검토하였다.

We investigated the bonding interfaces of directly-bonded Si-Si and $Si-Sio_{2}$/Si wafer pairs. By the angle lapping-delineation, anisotropic etching, and (FIR)-TEM observation methods, we studied on the interface defects and the transient region originated from the interface stress, the various types of voids, the formation and stability of interfacial oxide. We also compared the interface image of the bonded $Si-Sio_{2}$ with that of a typically grown $Si-Sio_{2}$.

키워드

참고문헌

  1. IEDM v.85 J.B.Lasky(et al.)
  2. Silicon-on-Insulatro Technology : Materials to VLSI J.P.Colinge
  3. Sensors and Actuators v.A21-A23 P.W.Barth
  4. J. Electrochem. Soc. v.138 no.1 W.P.Maszara
  5. J. Materials Science v.28 B.K.Ju(et al.)
  6. J. Electrochem. Soc. v.139 no.8 S.J.Yun(et al.)
  7. J.Electorchem. Soc. v.137 no.7 S.Bengston(et al.)
  8. J. Electrochem. Soc. v.124 no.5 M.W.Jenkins
  9. Jpn. J. Appl. Phys. v.31-1 no.4 K.Mitani(et al.)
  10. J. Appl. Phys. v.65 no.2 K.Y.Ahn(et al.)
  11. private communication B.K.Ju