E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제7권1호
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- Pages.25-31
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- 1994
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
$N_2{O}$ 가스로 재산화시킨 oxynitride막의 특성
Properties of the oxynitride films formed by thermal reoxidation in $N_2{O}$ gas
초록
Properties of oxynitride films reoxidized by
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