Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology (한국결정성장학회지)
- Volume 4 Issue 1
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- Pages.83-91
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- 1994
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
Growth and characterization of semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In by vertical gradient freeze technique
수직온도구배냉각법으로 크롬과 인듐이 함께 도핑된 반절연 갈륨비소 단결정의 성장 및 특성평가
- Young Ju Park (Semiconductor Materials Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea) ;
- Suk-Ki Min (Semiconductor Materials Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea) ;
- Kee Dae Shim (Semiconductor Materials Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea) ;
- Mann J. Park (Department of Physics, Korea University, Seoul 136-701, Korea)
- Published : 1994.03.01
Abstract
We have constructed a vertical gradient freeze (VGF) grower for GaAs single crystals 2 inch in diameter and have grown semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In. For the co-doped crystal, the segregation coefficients of the dopants remain unchanged when compared to those doped with only Cr or In. The concentration of Cr and in atoms range from about
직경 2인치 갈륨비소 단결정을 위한 수직온도구배냉각 결정성장치를 제작하여 크롬과 인듐이 함께 도핑된 반절연 갈륨비소 단결정을 성장하였다. 함께 도핑된 결정에 대해서,불순물의 편석계수는 크롬 또는 인듐만을 도핑한 결정에서 편석계수와 비교할 때 변하지 않고 같은 값을 갖는다. 크롬과 인듐의 농도는 결정의 종자부분 부터 꼬리부분까지 각각
Keywords