한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)
- 제2권1호
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- Pages.34-40
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- 1993
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- 1225-8822(pISSN)
Trimethylgallium, Trimethylauminum과 Arsine을 사용하여 UHVCVD방법으로 성장된 AlGaAs의 탄소 및 알미늄의 유입 특성
Characteristics of Carbon and Aluminum Incorporation in AlGaAs by UHVCVD using Trimethylgallium, Trimethylalumnium, and Arsine
초록
새로운 단결정 박막 성장방법으로 최근에 많은 관심을 끌고 있는 초고진공 화학기상증착법(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 AlGaAs에 에피탁시 박막을 성장시켰다. AlGaAs 에피탁시층의 성장은 2。 경사진 GaAs(100) 기판을 사용하였다. 반응 기체로는 Trimethylgallium(TMGa), Trimethylaluminum(TMAl)과 arsine을 사용하였고, 성장온도는
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