Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 6 Issue 2
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- Pages.147-151
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- 1993
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
Fabrication and new model of saturated I-V characteristics of hydrogenerated amorphous silicon thin film transistor
비정질 실리콘 박막 트랜지스터 포화전압대 전류특성의 새로운 모델
Abstract
PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I
Keywords