The Study on the Electrical and Optical Properties of As-Se-Ge Chalcogenide Glasses

As-Se-Ge계 칼코게나이드 유리의 전기적.광학적 성질에 관한 연구

In this study, the electrical and optical properties of amorphous, crystallization and thin film of As-Ge-Se Chalcogenide System was investigated. Typical composition of this material has $As_{20~50}Se_{40~70} and Ge_{10~40}$ at%. Materials having Se was fixed to 40 at% and As was above 30 at% much more increased the electrical conductivity. After crystallization at the temperature of $476^{\circ}C$ for 3 hour was showed the best electrical conductivity of 1.74E-13$(\Omega cm)^{-l}$. And the main crystalline phase of this sample can be investigated using the mixed crystalline, i.e, $GeSe_2 and As_2Se_3$ phases. The thin film shows the optical absorption coefficient in the range $2{times}10^3 to 7{times}10^4$ and the optical energy gap of 1.85eV.

As-Se-Ge 3원계 칼코게나이드 유리의 비정질화와 결정화 및 박막화를 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가코자 하였다. 조성의 범위는$As_{20~50}, Se_{40~70}, Ge_{10~40}$ at%였으며, Se을 40 at%로 고정시 As가 30 at%이상일 때 급격한 전기전도도의 증가를 가져왔으며,$As_{20}Se_{50}Ge_{30}$을 결정화시킨 경우, $476^{\circ}C$에서 3시간 결정을 성장시켰을 때의 전기전도도가 가장 양호하였으며, 주결정상으로 $GeSe_2와 As_2Se_3$의 흔정을 관찰할 수 있었다. 박막에서는1.8~2.4eV의 광에너지 영역에서 $2{times}10^3~7{times}10^4$의 광흡수계수를 나타냈고, 1.85eV의 광학적 에너지 갭을 나타냈다.