한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)

한국진공학회 (The Korean Vacuum Society)
권호 표지

Si(111)-$7{\times}7$ 면에서 Ti 성장과 C54 $TiSi_2$/Si(111) 정합 성장에 관하여

Growth of Ti on Si(111)-)-$7{\times}7$ Surface and the Formation of Epitaxial C54 $TiSi_2$ on Si(111) Substrate

  • Kun Ho Kim (Department of Physics, Gyeongsang National University, Chinju 660-701 Korea) ;
  • In Ho Kim (Department of Physics, Gyeongsang National University, Chinju 660-701 Korea) ;
  • Jeoung Ju Lee (Department of Physics, Gyeongsang National University, Chinju 660-701 Korea) ;
  • Dong Ju Seo (Department of Physics Eduction, Chosun University, Kwangju 501-759, Korea) ;
  • Chi Kyu Choi (Department of Physics, Cheju, National University, Cheju 690-756, Korea) ;
  • Sung Rak Hong (Department of Physics, Cheju, National University, Cheju 690-756, Korea) ;
  • Soo Jeong Yang (Department of Physics, Cheju, National University, Cheju 690-756, Korea) ;
  • Hyung Ho Park (ETRI, P.O. Box 8, Taeduk Science Town, Taejeon 305-606, Korea) ;
  • Joong Hwan Lee (ETRI, P.O. Box 8, Taeduk Science Town, Taejeon 305-606, Korea)
  • 발행 : 1992.02.01
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초록

고에너지 반사 전자회절기(RHEED) 및 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 Si(111)-7 $\times$ 7 면에서의 Ti 박막의 성장 mode와 Si(111) 면에서의 C54 TiSi2의 정합성장 을 조사하였다. 초고진공에서 Si(111)-7 $\times$ 7 표면에 상온에서 Ti를 증착하면 Ti/Si 계면에 서 비정질의 Ti-Si 중간막이 먼저 형성되고 그 위에 Ti 박막은 다결정으로 성장하였다. 160ML의 Ti를 증착한 시료를 초고진공 내에서 75$0^{\circ}C$로 10분 열처리하면 C54 TiSi2가 정합 성장하였으며 이는 HRTEM 격자상 및 TED Pattern으로 확인할 수 있었다. TiSi2/Si(111) 시 료를 다시 $900^{\circ}C$로 가열하면 TiSi2위에 단결정 Si층이 [111] 방향으로 성장하였다.

The growth of Ti on Si(111)-$7{\times}7$ and the formation of epitaxial C54 $TiSi_2$ were investigated by using reflection high energy electron diffraction(RHEED) and high resolution transmission electron microscopy(HRTEM). Polycrystalline Ti layer is grown on the amorphous Ti-Si interlayer which is formed at the Ti/Si interface by Ti deposition on Si(111)-$7{\times}7$ at room temperature (RT). HRTEM lattice image and transmission electron diffraction(TED) showed that epitaxial C54 $TiSi_2$ grown on Si substrate with 160 ML of Ti on Si(111)-$7{\times}7$ surface at RT, followed by annealing at $750^{\circ}C$ for 10 min in UHV. Thin single crystal Si overlayer with [111] direction is grown on $TiSi_2$ surface when $TiSi_2$/Si(111) is annealed at ${\sim}900^{\circ}C$ in UHV, which was confirmed by Si(111)-$7{\times}7$ superstructure.

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