한국진공학회지 (Journal of the Korean Vacuum Society)

한국진공학회 (The Korean Vacuum Society)
권호 표지

ECR 플라즈마의 식각 공정변수에 관한 연구

A Study on the Characteristics of Poly-Si Etching Process Parameter Using ECR Plasma

  • 안무선 (화인 반도체기술(주) 부설연구소) ;
  • 지철묵 (화인 반도체기술(주) 부설연구소) ;
  • 김영진 (화인 반도체기술(주) 부설연구소) ;
  • 윤송현 (화인 반도체기술(주) 부설연구소) ;
  • 유가선 (화인 반도체기술 (주) 부설연구소)
  • 발행 : 1992.02.01
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초록

16M/64M DRAM 제조공정에 적용할 수 있는 ECR 방식의 플라즈마 etcher를 개발 하여 Poly-Si 식각공정에 적용하였다. 공정압력, 사용가스 및 초고주파 전력의 공정변수 변 화에 따른 Poly-Si의 식각율 및 선택비 변화를 조사하였다. 초고주파의 전력이 증가할수록 식각율과 Oxide에 대한 선택비가 증가하는 경향을 보였으며 6mT의 공정압력에서 최적치를 보였다. 공정가스 SF6/SF6 + Cl2의 값이 증가할수록 식각율 및 선택비의 감소가 있었으며 이는 최적 공정변수를 찾지 못하였기 때문으로 분석된다.

Abstract-The ECR(E1ectron Cyclotron Resonance) plasma etcher was developed for process of manufacturing 16M164' DRAM and applied to poly-Si etching process. The etching rate and selectivity of poly-Si were investigated by changing the process factor of pressure gas and microwave power. The increasing power of microwave will have the trend of increasing the etching rate and selectivity of Oxide, and have suitable value process pressure at 6 mTorr. The increasing value of process gas SFdSF6+ Clz will cause the decrease of etching rate and selectivity, this is because the best process factor is not found.

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