A Study on the GaAs MESFET Model Parameter Extraction

GaAs MESFET 모델 매개변수 추출에 관한 연구

A new efficient method for GaAs MESFET model parameter extraction is proposed, which is based on the bias dependance of each parameter characteristics derved from the analytic model. The requiremnts of the method are only small-signal S-parameter measurements under the three bias variations. Fixation of the linear model parameter values in the optimization process is made using the sensitivity information of the model parameter obtained by the weighted Broyden update method, it is to improve the uniqueness and reliablility of the solution. The validity of the extracted values of the FET model parameters is confirmed by comparing the simulation results with the experimental data.

GaAs MESFET 모델의 정확한 매채변수 값을 구하기 위하여 바이어스 의존성을 바탕으로 3가지 바이어스 변화에 대한 S-,파라미터 측정만으로 모델 매개변수를 추출할 수 있는 새로운 계산 방법을 제시한다. Weighted Broyden update방법의 최적화 과정에서 얻어지는 오차 함수에 대한 매개 변수의 검토를 이용하여 전형 및 비전형 매개 변수의 유일해를 결정한다. 제안된 방법을 적용하기 위해 Marterka & Kacprzak 모델을 사용하였으며 추출한 매개변수 값의 정당성을 측정치와 비교함으로서 입증하였다.