E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제4권2호
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- Pages.175-184
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- 1991
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상
Improved electrical properties of reoxidized nitrided oxide film grown by rapid thermal processing
초록
급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA.
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