E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제3권3호
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- Pages.178-186
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- 1990
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
어닐링과 산화에 따른 tungsten polycide 막 특성의 변화
Effects of annealing and oxidation on the properties of the tungsten polycide film
초록
다결정 실리콘 상의 텅스텐 시리사이드 막의 Si/W 조성비, 저항 및 응력을 측정함으로써 어닐링과 산화에 따른 막 특성의 변화를 조사하였다. 막형성 직후의 텅스텐 시리사이드 막의 Si/W 조성비는 2.6이었으나 어닐링 후에는 2.4-2.6으로 산화후에는 2.0-2.3으로 감소하였다. 비저항은 막형성 직후에는 41.2.OMEGA./
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