ETRI Journal
- 제11권4호
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- Pages.119-127
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- 1989
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- 1225-6463(pISSN)
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- 2233-7326(eISSN)
Poly-Si 형성조건에 따른 Polyoxide의 전기적 특성
- 발행 : 1989.12.31
초록
다결정 실리콘 위에 열산화 방법을 통해 형성된 산화막(polyoxide)은 기억소자에서의 capscitor 절연막이나, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)과 EEPROM(Electrically EPROM) 소자의 tunneling 산화막으로 사용된다. 이러한 polyoxide 절연막은 낮은 누설전류, 높은 절연파괴전기장, 높은 절연파괴 전류밀도등의 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 ployoxide의 형성조건에 따른 polyoxide의 전기적인 특성에 대하여 연구하였다.
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