ETRI Journal
- Volume 11 Issue 4
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- Pages.50-56
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- 1989
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- 1225-6463(pISSN)
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- 2233-7326(eISSN)
티타늄 실리사이드 박막의 형성과정에 대한 연구
- Published : 1989.12.31
Abstract
초고집적 반도체 제조에 널리 쓰이고 있는 티타늄 실리사이드 박막의 형성 조건에 따른 특성을 분석하였다. 실리콘 웨이퍼 위에 티타늄 박막을 스퍼터링 방식으로 증착하고, 급속 열처리(RTA) 방식으로 실리사이드화 온도 및 시간을 변화시켰다. 박막의 깊이에 따른 조성변화를 측정하기 위하여 AES 및 RBS 분석을, 결정구조의 분석을 위하여 XRD를, 전기적 특성을 평가하기 위하여 4-point probe로 면저항(
Keywords