Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 25 Issue 11
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- Pages.1342-1349
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- 1988
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- 1016-135X(pISSN)
Etch Rate Dependence of Differently Doped Poly-Si Films on the Plasma Parameters
플라즈마 변수에 의한 불순물주입 다결정실리콘 박막의 식각율 변화
- Park, Sung-Ho (Compound Semiconductor Department, ETRI) ;
- Kim, Youn-Tae (Compound Semiconductor Department, ETRI) ;
- Kim, Jin-Sup (Compound Semiconductor Department, ETRI) ;
- Kim, Bo-Woo (Compound Semiconductor Department, ETRI) ;
- Ma, Dong-Sung (Compound Semiconductor Department, ETRI)
- 박성호 (韓國電子通信硏究所 化合物半導體硏究部) ;
- 김윤태 (韓國電子通信硏究所 化合物半導體硏究部) ;
- 김진섭 (韓國電子通信硏究所 化合物半導體硏究部) ;
- 김보우 (韓國電子通信硏究所 化合物半導體硏究部) ;
- 마동성 (韓國電子通信硏究所 化合物半導體硏究部)
- Published : 1988.11.01
Abstract
The dependence of the etch rates of differently doped poly-Si films on the gas composition, the chamber pressure and the RF power was investigated in detail. The highest anisotropy and the lowest CD loss were achieved at the
플리즈마 변수로서 가스조성과 압력 및 RF 전력이 인 및 붕소가 각각 다른 양으로 주입된 다결정 실리콘의 식각율 변화에 미치는 영향을 고찰하였다.
Keywords