한국통신학회논문지 (The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences)

  • 제12권1호
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  • Pages.19-26
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  • 1987
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  • 1226-4717(pISSN)
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  • 2287-3880(eISSN)
한국통신학회 (The Korean Institute of Commucations and Information Sciences)
권호 표지

Potentially Unstable한 GaAs FET를 이용한 광대역 마이크로파증폭기에 관한 연구

A Study on the Broadband Microwave Amplifier Design Using Potentially Unstable GaAs FET

  • 홍재표 (순천공업전문대학) ;
  • 조영기 (경북대학교 전자공학과) ;
  • 손현 (경북대학교 전자공학과)
  • Hong, Jae-Pyo (Dept. of Electronics, Soon Cheon Junior Tech. College Soon Cheon) ;
  • Cho, Young-Ki (Dept. of Electronic Engineering, Kyungpook, National University) ;
  • Son, Hyon (Dept. of Electronic Engineering, Kyungpook, National University)
  • 발행 : 1987.02.01
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초록

Potentially unstable한 GaAs FET를 사용하여 3~4GHz에서 평탄한 이득특성을 갖는 광대역 초고주파 증폭기를 설계하였다. 입력정합회로는 유용전력이득이 14dB인 원을 사용하여 안정한 영역에 존재하도록 설계하였다. 출력정합회로는 최대전력이 전달되고 또한 안정한 영역에 존재하도록 Fano의 대역통과 정합이론을 사용하여 설계하였다. 전송 전력이득 및 $S_11$과 $S_22$의 실험치는 이론치와 거의 유사한 특성을 나타내었다.

The broadband microwave amplifier in the 3~4GHz frequency range has been designed by using potentially unstable GaAs FET. Input matching network is designed by 14dB available power gain circles which are in the stable region. In order to obtain maximu, transducer power gain, output matching network which is in the stable region can be designed using Fano's bandpass matching network. The measured values of transducer power gain, $S_11$and $S_22$ show close agreements with the theoretical valuse.

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