Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 22 Issue 4
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- Pages.92-100
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- 1985
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- 1016-135X(pISSN)
A Study on the Efficiency Improvement of HLE Solar Cell Using Surface Charge Accumulated Layer
표면전축적층을 이용한 HLE 채양전지의 효율개선에 관한 연구
Abstract
New N+N/P HLE solar cells with N+ surface charge accumulated layer in the emitter region are fabricated on the N/P Si epiwafer by incorporating high fixed positive charge density (Qss) at the Si-AR layer interface. Solar cells are classified into two categories, i.e, OCI and NCI Cell depending on AR layer, SiOl and Si3 N4/sioxynitride layer respectively. The distribution of Qss in the Si-AR layer interface is examined by C-V plot. It shows that the surface charge accumulated layer is formed more effectively in the NCI cell (Qss=1.79-1.84
P형 Si기판에 N에피층을 성장시키고 Si-AR막 계면에서 고정양전하밀도(Qss)를 높임으로써 전지의 에미터 표면영역을 N'전하축적층으로 나타낸 새로운 형태의 N'N/P HLE 태':1전지 를 제 작하였다. 제작된 전지의 종류로는 AR막으로 SiOr층을 이용한 OCI전지와 Si,N,/sioxynitride층을 이응한 NCI전지로 구분하였다. 전지의 AR막내 Qss분포는 커패시턴스-전압 측정을 통해 조사하였으며 이로부터 NCI전 al (Qss=1.79~ 1.84
Keywords