대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제22권1호
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- Pages.22-27
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- 1985
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- 1016-135X(pISSN)
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모데링
Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET's
- Ryu, Jong-Seon (Korea Institute of Electronic Technology) ;
- Kim, Yeo-Hwan (Korea Institute of Electronic Technology) ;
- Kim, Bo-U
- 발행 : 1985.01.01
초록
본 논문에서는 채널에 붕소를 이온주입하여 불균일한 도우핑 profile을 가지는 n-채럴 MOSFET의 threshold 전압에 대하여 보다 간단한 모델링을 기술하였다. 실제의 도우핑 Profile들 지수적인 Profile을 지수적인 profile로 근이시키고 Poisson방정식과 depletion approximation을 이용하여 실리콘 표면의 Potential, 최대 공핍층의 폭 그리고 threshold 전압을 구하였다. 계산한 threshold 전압이 실험치와 잘 일치한다는 사실은 이온 주입한 MOS소자들에 대하여 지수적인 도우핑 Profile로 근이시킬 수 있다는 타당성을 보여 주고 있다.
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