Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 20 Issue 3
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- Pages.33-39
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- 1983
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- 1016-135X(pISSN)
The Effect of thin Stepped Oside Structure Along Contact Edge on the Breakdown Voltage of Al-nSi Schottky Diode
Al-nSi 쇼트키 다이오드의 접합면 주위의 얇은 계단형 산화막 구조가 항복 전압에 미치는 영향
Abstract
New Schottky devices with thin stepped oxide layer (about 1000
종래의 쇼트키 다이오드들이 가지는 금속중첩 및 P보호환 구조와 비교하여 금속-반도체 접합면 가장자리에 얇은 계단형 산화막(약1000Å) 구조를 갖는 새로운 소자들을 설계 제작하였다. 별은 계단형 산화막의 형성은 T.C.E. 산화공정으로 처리하였으며 이러한 새로운 소자들의 항복현상을 비교 검토하기 위하여 이들과 함께 동일한 소자 크기를 갖는 종래의 금속 중첩 쇼트키 다이오드와 P보호환 쇼트키 다이오드를 같은 폐이퍼상에 집적시켰고 항복전압에 대한 측정을 통해 고찰해 본 결과 금속-반도체 접합면 가장자리에 얇은 계단형 산화막 구조를 갖는 소자들은 종래의 쇼트키 다이오드들에 비해 항복현상에 있어서 월등한 개선을 보여 주는 것으로 나타났다.
Keywords