대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

알루미늄 게이트 PMOS 차동증폭기의 설계 및 제작

Design and Fabrication of an Aluminum-Gate PMOS Differential Amplifier

  • 신장규 (경북대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 권우현 (경북대학교 공과대학 전자공학과)
  • 발행 : 1982.02.01
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초록

알루미늄 게이트 PMOS집적회로 제작기법을 이용하여 차동증폭기를 설계, 제작하였다. 증가형 MOSFET 만으로 회로를 구성하였으며, 각 트랜지스터의 크기는 시뮬레이션 프로그램 MSINC를 이용하여 결정하였다. 제작된 집적회로를 +15v와 -l5V의 전원으로 동작시켰을때 DC전압이득은 42dB, 동상신호제법비(CMRR)는 50dB, 전력소모는 20mW이었다.

A differential amplifier has been designed and fabricated using aluminum-gate PMOS technology, Only enhaneement-mode MOSFET's are used in the circuit and the dimensions of transistors have been determined using simulation program MSINC. The fabricated integrated circuit with +15V and -l5V power supplies shows an open-loop DC voltage gain of 42 dB, a common mode rejection ratio (CMRR) of 50 dB, and a Power consumption of 20mW.

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