X-밴드 도피관내 지지봉의 임피던스

Impedance of a Post Mount Structure in the X-band Waveguide

마이크로파 대역의 반도체 소자인 Impatt 혹은 Gunn 다이오드를 도피관내에서 발진 혹은 증폭소자로 사용하기 위하여는 다이오드를 도피관내에 기계적으로 지지하고, 다이오드에 DC bias를 공급하는 경로가 되는 지지봉이 필요하다. 단면이 원형인 지지봉에 고나하여 다이오드 단편에서 본 지지봉의 입력 임피이던스의 계산 방법을 소개하고 이를 X-밴드(8-12GHz)에서 실험적으로 용인하였다.

Impedance of a post mount structure supporting a microwave diode in the X-band rectangular waveguide is calculated by using the induced EMF method. Probe measurement of the driving point impedance of the post mounu shows a close agreement with the theoretical calulation when the gap of the post mount is near the bottom wall of the waveguide.