A Study on composition of current stable negative resistance circuits.

전류안정부저항회로의 구성에 관한 연구

This paper dealt with composition of current stable negatil'e resistance circuit based on Beam resistance of the tube SAMUEL SEBLY suggested. Beam resistance which is decreased by input current increment on definite region of current, accompanied generation of equivalent e. m. f on model circuit. With equivalent e. m. f there appeared increased current on circuit but decrease of terminal voltage. Bloc constructed by above concept induced transistorized circuit which have NPN and a PNP Transistor. Circuit operation predicted and calculated values of negative resistance are coincident with experimental results. A Circuit proposed on this paper sllowed good linearity on Ve-Ji characteristics.

본논문온 전류안정부저항특성을 나타내는 회로를 구성하는데 있어서, 입력전류가 변하는 어느 구간에서 입력전류의 변화에 따라서, SAMUEL SEELY가 제시한 Beam저항을 도입하여, Beam저항이 감소하는 원리를 적용하였다. 이러한 원리에 따르는 회로의 모델을 트랜지스터 회로로써 구체화하였다. 구체화된 트런지스터회로는 PNP 트런지스터와 NPN트랜지스터와 저항으로 이루어졌다. 이 회로의 전압-전류특성이 안정되도록 하기 위하여 회로를 수정하여 회로의 동작을 추정하여 해석하였다. 추정된 동작과 부저항치를 실험을 통하여 모두 뒷밭침 하였다. 여기서 얻어진 회로은 쟈이레이터의 구성과 SCR동작의 모의화등에 유용하게 이용될 것이며, 전류안정중저항회로의 구성에 관한 평이화를 기하였다.