Acknowledgement
이 논문은 정부(교육부-산업통상자원부)의 재원으로 한국산업기술진흥원의 지원을 받아 수행된 연구임(P0022098, 2024 년 미래형자동차 기술융합혁신인재양성사업)
References
- 신석윤, 함기열, 전희영, 박진규, 장우출, 전형탁, "원자층증착 기술: 개요 및 응용분야", 한국재료학회지, 23(8), 405-422, 2013. https://doi.org/10.3740/MRSK.2013.23.8.405
Annual Conference of KIPS (한국정보처리학회:학술대회논문집)
- 2024.05a
- /
- Pages.25-26
- /
- 2024
- /
- 2005-0011(pISSN)
- /
- 2671-7298(eISSN)
DOI QR Code
Fabrication and Characterization of Single-Layer Non-Volatile Memory Devices Using Atomic Layer Deposition (ALD)
ALD 를 활용한 단일 박막 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 분석
- Hyoung-Wan Lim (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Dong-Min Shin (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Jun-Su Park (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Hyeong-Keun Hong (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Jae-Wook Jeon (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University)
- 임형완 (성균관대학교 전자전기공학부) ;
- 신동민 (성균관대학교 전자전기공학부) ;
- 박준수 (성균관대학교 전자전기공학부) ;
- 홍형근 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
- 전재욱 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과)
- Published : 2024.05.23
Abstract
본 연구에서는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기술을 사용하여 고품질의 단일 박막을 형성하고, 이를 이용해 비휘발성 메모리 소자를 제작하며 그 특성을 분석한다. ALD 과정에서 단원자층을 차례로 증착하는 방식을 사용하여, 산화알루미늄 및 하프늄 옥사이드를 포함한 여러 층을 성공적으로 증착하였다. 이를 통해 높은 품질과 신뢰성을 가진 박막을 얻을 수 있었으며, 최종적으로 제작된 메모리 소자의 특성을 CV 곡선 분석을 통해 평가한다.
Keywords