Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 2020.08a
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- Pages.353-354
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- 2020
Development of 3.5kW Single Phase PV Inverter using SiC MOSFET
SiC MOSFET를 적용한 3.5kW급 단상 PV 인버터 개발
- Kim, Jye-Won (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
- Kim, Myeong-Gi (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
- Joo, Dongmyoung (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
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Choi, Jun-Hyuk
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
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Kim, Jin-Hong
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
- 김재원 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
- 김명기 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
- 주동명 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
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최준혁
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
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김진홍
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
- Published : 2020.08.18
Abstract
본 논문에서는 SiC (Silicone Carbide) MOSFET 기반 Buck-Unfolder 토폴로지를 적용한 단상 태양광 인버터를 개발한다. 개발한 인버터의 성능 평가를 위해 3.5kW 급 prototype의 효율 및 전고조파 왜율(THD)을 분석한다.
Keywords