Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 2019.07a
- /
- Pages.279-280
- /
- 2019
Switching Characteristic Analysis and Performence Evaluation of 600V GaN FET
600V급 GaN FET의 스위칭 특성 분석 및 성능 평가
- Lim, Jong-Hun (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
- Kim, Jae-Won (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
-
Park, Joon-Sung
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
;
-
Kim, Jin-Hong
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
;
-
Choi, Jun-Hyuk
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
- 임종헌 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
- 김재원 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
-
박준성
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
;
-
김진홍
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
;
-
최준혁
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
- Published : 2019.07.02
Abstract
본 논문에서는 3KW급 전력변환장치에 적용 가능한 650V급 GaN FET를 사용하여 Half-bridge 구조의 개발보드를 설계 및 제작하고, Double pulse test 실험을 통해 Turn-on 및 off 시스위칭 특성을 분석하였다. 또한 동기정류식 Buck 컨버터에 GaN FET을 적용하고, 유사한 전압 및 전류 정격의 Si MOSFET 소자와 시스템 효율을 비교하여 GaN FET 전력반도체의 성능을 평가하였다.
Keywords