Loss Analysis for GaN FET-based Full Bridge Converter

GaN FET을 적용한 Full Bridge DC-DC Converter의 동기정류기 손실분석

  • Published : 2016.11.25

Abstract

본 논문은 500W급 GaN (Gallium Nitride) FET을 적용한 Full Bridge Converter 의 2차측 소자에 따른 손실을 분석한다. Diode를 적용하였을 경우의 도통손실과 Si MOSFET과 GaN FET의 스위칭 손실 및 도통손실을 분석하여 최종적인 효율 및 동기정류의 필요성을 검증하고 그에 따른 방열설계를 수식을 통해 도출하여 제안한다.

Keywords