한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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- Pages.167-169
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- 2016
포인트 터널링과 라인 터널링을 모두 고려한 실리콘 기반의 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건
Guide Lines for Optimal Structure of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor Considering Point and Line Tunneling
- Ahn, Tae-Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
- 발행 : 2016.10.27
초록
이 논문은 라인 터널링과 포인트 터널링을 모두 고려한 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 여러가지 구조 및 물질 파라미터에 따른 시뮬레이션 결과를 소개한다. 포켓의 도핑 농도와 두께가 증가할수록 구동전류
The structure guide lines of pocket tunnel field effect transistor(TFET) considering Line and Point tunneling are introduced. As the pocket doping concentration or thickness increase, on-current