Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2016.10a
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- Pages.167-169
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- 2016
Guide Lines for Optimal Structure of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor Considering Point and Line Tunneling
포인트 터널링과 라인 터널링을 모두 고려한 실리콘 기반의 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건
- Ahn, Tae-Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
- Published : 2016.10.27
Abstract
The structure guide lines of pocket tunnel field effect transistor(TFET) considering Line and Point tunneling are introduced. As the pocket doping concentration or thickness increase, on-current
이 논문은 라인 터널링과 포인트 터널링을 모두 고려한 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 여러가지 구조 및 물질 파라미터에 따른 시뮬레이션 결과를 소개한다. 포켓의 도핑 농도와 두께가 증가할수록 구동전류