Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Guide Lines for Optimal Structure of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor Considering Point and Line Tunneling

포인트 터널링과 라인 터널링을 모두 고려한 실리콘 기반의 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건

  • Ahn, Tae-Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
  • Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
  • 안태준 (한경대학교 전기전자제어공학과) ;
  • 유윤섭 (한경대학교 전기전자제어공학과)
  • Published : 2016.10.27
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Abstract

The structure guide lines of pocket tunnel field effect transistor(TFET) considering Line and Point tunneling are introduced. As the pocket doping concentration or thickness increase, on-current $I_{on}$ increases. As the pocket thickness or gate insulator increase, subthreshold swing(SS) increases. Optimal structure reducing the hump effects should be proposed in order to enhance SS.

이 논문은 라인 터널링과 포인트 터널링을 모두 고려한 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 여러가지 구조 및 물질 파라미터에 따른 시뮬레이션 결과를 소개한다. 포켓의 도핑 농도와 두께가 증가할수록 구동전류 $I_{on}$이 증가하고 포켓의 두께와 게이트 절연체의 유전율이 증가할수록 SS(subthreshold swing)가 좋아짐을 보인다. hump 효과는 SS를 나쁘게 하기 때문에 최소화할 수 있도록 최적의 구조를 만들어야 한다.

Keywords