Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Power Electronics (전력전자학회)
권호 표지

Analysis of Design Elements and Operating Characteristics in Cascode-GaN and p-GaN

Cascode-GaN과 p-GaN의 동작 특성 및 설계 요소 분석

  • Park, Sang-Min (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Joo, Dong-Myoung (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Min-Jung (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Byoung-Kuk (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 박상민 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 주동명 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 김민중 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 이병국 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과)
  • Published : 2015.11.27
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Abstract

본 논문은 GaN (Gallium Nitride) HEMT (High Electron Mobility Transistor) 소자의 동작 특성과 Normally-off형 p-GaN 및 cascode-GaN 소자의 구현 방식에 따른 차이점을 분석한다. 두 소자의 차이점에 따른 동작 특성을 비교하고 게이트 구동 시 고려되어야 할 설계 요소를 분석한다.

Keywords