Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Atomic Layer Etching of interface Passivation Layer for III-V compound semiconductor devices

III-V족 반도체 소자의 Interface Passivation Layer을 위한 원자층 식각

  • 윤덕현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김화성 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 박진우 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2014.11.20
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Abstract

플라즈마 건식 식각 기술은 반도체 식각공정에서 효과적으로 이용되고 있으며, 반도체 소자의 크기가 줄어듬에 따라 미세하고 정확하게 식각 깊이를 제어할 수 있는 원자층 식각 기술이 개발되었다. 3-5족 반도체 소자의 Interface Passivation Layer 로 이용되는 $Al_2O_3$ 와 BeO 의 원자층 식각을 하였으며, 각각의 원자층 식각 조건과 식각 후의 표면 거칠기 변화에 대한 영향을 확인 할 수 있었다.

Keywords