Effect of electric field on asymmetric degradation in a-IGZO TFTs under positive bias stress

Positive bias stress하에서의 electric field가 a-IGZO TFT의 비대칭 열화에 미치는 영향 분석

본 논문에서는 gate와 drain bias stress하에서의 a-IGZO thin-film transistors (TFTs)의 비대칭 열화 메커니즘 분석을 진행하였다. Gate와 drain bias stress하에서의 a-IGZO TFT의 열화 현상은 conduction band edge 근처에 존재하는 oxygen vacancy-related donor-like trap의 발생으로 예상되며, TFT의 channel layer 내에서의 비대칭 열화현상은 source의 metal과 a-IGZO layer간의 contact에 전압이 인가되었을 경우, reverse-biased Schottky diode에 의한 source 쪽에서의 높은 electric field가 trap generation을 가속화시킴으로써 일어나는 것임을 확인할 수 있었다.