A Novel Gate Drive Technique of MOSFET for Improving Light Load Efficiency

경부하 효율 향상을 위한 MOSFET의 부하별 게이트 구동 기법

  • Kim, Jae-Hyun (Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
  • Lee, Jae-Bum (Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
  • Moon, Gun-Woo (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
  • Published : 2014.07.01

Abstract

본 논문에서는 스탠바이 컨버터를 가지는 전력 변환 시스템에서 경부하 효율을 높일 수 있는 새로운 게이트 구동기법을 제안한다. 제안 방법은 스탠바이 컨버터의 보조 출력 전압을 조절하여 전력 MOSFET의 구동 전압 및 제어기 IC의 동작 전압을 경부하 조건에서 낮춘다. 따라서, MOSFET의 게이트 구동 손실과 제어기 IC의 손실을 크게 줄일 수 있다. 본 논문에서는 48V 입력전압 및 12V 출력전압/60A 출력전류의 주전원단 및 5V/3A의 출력의 스탠바이 전원단을 포함한 DC/DC 서버용 전원 장치를 실험하여 타당성을 검증하였다.

Keywords