Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

Analysis of junctionless field effect transistor for transparent electronics

  • 권혁윤 (한국과학기술원 (KAIST) 전기 및 전자공학과) ;
  • 김민철 (한국과학기술원 (KAIST) 전기 및 전자공학과) ;
  • 이현우 (한국과학기술원 (KAIST) 전기 및 전자공학과)
  • Published : 2014.03.21
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Abstract

본 논문에서는 접합을 가지지 않는 Junctionless transistor (JLT)의 두께에 따른 특성 차이 및 기존의 MOSFET과의 특성 비교를 EDISON 시뮬레이터를 통해 확인을 하였다. JLT의 두께가 얇아짐에 따라 On/off 비율 측면에서 소자의 특성이 향상됨을 확인 하였으며, 기존 Inversion mode의 MOSFET과 비교하여 단 채널 효과 측면에서도 향상된 특성을 확인 할 수 있었다.

Keywords