Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2014.02a
- /
- Pages.338.1-338.1
- /
- 2014
RF Magnetron Sputtering법으로 제작된 비정질 산화물 반도체 IGZO 박막의 특성
- Published : 2014.02.10
Abstract
비정질 산화물 반도체(Amorphous Oxide Smeiconcuctor)를 이용하여 투명 박막 트랜지스터의 채널층으로 많은 연구가 진행되고 있다. 투명 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용되고 있는 IGZO박막은 비정질임에도 불구하고 높은 이동도와 넓은 밴드갭을 갖고 있는 것으로 알려져 있다. 본 연구는 RF magnetron sputtering법으로 유리기판 위에 IGZO박막을 증착시켰으며 소결된 타겟으로는 In:Ga:ZnO를 각각 1:1:2mol%의 조성비로 혼합하여 이용하였으며,