한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
- /
- Pages.722-725
- /
- 2013
열처리 온도 및 산화층 두께에 따른 ReRAM 특성 연구
The Study on the Characteristics of ReRAM with Annealing Temperature and Oxide Thickness
- Choi, Jin-hyung (Incheon National University) ;
- Lee, Seung-cheol (Incheon National University) ;
- Cho, Won-Ju (Kwangwoon University) ;
- Park, Jong-tae (Incheon National University)
- 발행 : 2013.10.25
초록
본 연구에서는 열처리를 하지 않은 소자와 열처리 소자의 기본 특성을 비교, 분석하고 온도에 따른 특성 변화를 확인하였다. 사용된 소자는 상부전극이 Pt/Ti(150nm), 하부전극은 Pt(150nm), 산화층은
In this work, we have been analyzed the characteristics of ReRAM with different annealing condition and temperature. The ReRAM devices with top electrode=150nm, bottom electrode=150nm, oxide thickness=70nm and annealing temperature=