Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2013.02a
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- Pages.209-209
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- 2013
Crystallographic Etching in Double-Layer Graphene on $SiO_2$ Substrates
- Published : 2013.02.18
Abstract
그래핀(graphene)의 가장자리(edge)는 결정구조의 배향성에 따라 지그재그(zigzag)와 안락의자(armchair) 형태로 구분되는데, 나노미터 크기의 그래핀의 전자적 성질은 이러한 가장자리의 배향성에 의해 크게 영향을 받는다고 알려져 있다. 단일층 그래핀 가장자리 사이에서 일어나는 산화실리콘(