한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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- Pages.289-289
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- 2013
Synthesis of Uniformly Doped Ge Nanowires with Carbon Sheath
- 김태헌 (성균관대학교 신소재공학부 & SAINT) ;
- 장야무진 (성균관대학교 신소재공학부 & SAINT) ;
- 최순형 (성균관대학교 신소재공학부 & SAINT) ;
- 서영민 (성균관대학교 신소재공학부 & SAINT) ;
- 이종철 (성균관대학교 신소재공학부 & SAINT) ;
- 황동훈 (고려대학교 전기전파공학부) ;
- 김대원 (고려대학교 전기전파공학부) ;
- 최윤정 (성균관대학교 신소재공학부 & SAINT) ;
- 황성우 (삼성종합기술원 타임도메인 나노기능소자 연구단) ;
-
황동목
(성균관대학교 신소재공학부 & SAINT)
- Kim, Tae-Heon ;
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- Choe, Sun-Hyeong ;
- Seo, Yeong-Min ;
- Lee, Jong-Cheol ;
- Hwang, Dong-Hun ;
- Kim, Dae-Won ;
- Choe, Yun-Jeong ;
- Hwang, Seong-U ;
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Hwang, Dong-Mok
- 발행 : 2013.08.21
초록
While there are plenty of studies on synthesizing semiconducting germanium nanowires (Ge NWs) by vapor-liquid-solid (VLS) process, it is difficult to inject dopants into them with uniform dopants distribution due to vapor-solid (VS) deposition. In particular, as precursors and dopants such as germane (
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