Plasma Etcher Chamber Wall Condition Analysis Using Actinometry

  • 엄정환 (삼성전자 E 기술팀, 메모리 사업부, 삼성전자) ;
  • 강태균 (삼성전자 E 기술팀, 메모리 사업부, 삼성전자) ;
  • 최창원 (삼성전자 E 기술팀, 메모리 사업부, 삼성전자) ;
  • 윤태양 (삼성전자 E 기술팀, 메모리 사업부, 삼성전자)
  • 발행 : 2013.08.21

초록

반도체 디바이스의 집적화로 인하여 약간의 상태변화에 의하여 Chip의 불량이 발생하고 있다. 이로 인하여 일정한 플라즈마 상태를 유지 하는 것이 중요 한데 일정한 플라즈마 상태를 유지하기 위한 조건 중에 중요한 것이 채임버 Wall의 상태에 따른 변화 이다. 반도체 양산 장비에서 채임버 wall 상태를 직접 관찰하기는 어렵기 때문에 OES를 통한 많은 간접 분석방법의 개발이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 간접 분석 방법 중 Actinometry 기법을 통하여 wall 상태를 분석하는 내용을 소개 하고 있으며 Argon gas를 통하여 전자온도, EEDF를 그려줄 수 있다는 내용을 담고 있다.

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