Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

Ab initio DFT를 통한 Si/SiO2 Band Offset 계산

  • 송호철 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2013.04.17
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

Ab initio DFT 계산을 통해서 $Si/SiO_2$ 계면의 Band offset을 계산 했다. Si과 $SiO_2$ 각각의 물질을 계산한 결과로 얻은 로컬 퍼텐셜을 기준으로 Valence band와 Conduction band의 band edge의 위치를 결정할 수 있다. 그리고 계면 계산으로 얻은 로컬포텐셜을 이용하여 두물질의 로컬 퍼텐셜의 상대적인 위치를 결정할 수 있고 이를 이용하여 Band offset을 결정 할 수 있었다.

Keywords