Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

EDISON 시뮬레이션을 활용한 실리콘 나노선 전계 효과 트랜지스터의 소자변수 분석

  • 신종목 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 박주현 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 유재영 (고려대학교 나노반도체공학과)
  • Published : 2013.04.17
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

실리콘 나노선 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transisor: FET)의 특성을 시뮬레이션을 통해 연구하였다. 일반적인 트랜스컨덕턴스(transconductance) 값을 이용하여 소자의 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 추출했고, Y-function 방법을 이용하여 저전계 이동도(low field mobility)와 문턱전압(threshold voltage)를 구했다. 채널길이가 10nm로 매우 짧을 때와 100nm의 일반적인 길이 일 때의 전하 이동도 특성을 비교하여 Si 나노선 FET의 쇼트 채널 효과(short channel effect)를 보았다.

Keywords