Electrical Properties of Thin Film for FRAM according to Heat Treatment

FRAM용 박막의 열처리에 따른 전기적 특성

  • Park, Geon-Ho (School of Mobile Communication, Chungkang College of Cultural Industries)
  • 박건호 (청강문화산업대학교 모바일스쿨 이동통신전공)
  • Published : 2013.07.17

Abstract

본 연구에서는 RF sputtering법을 이용하여 Si기판 위에 SBN 박막을 증착시켜서, 온도 범위 600~800[$^{\circ}C$]에서 열처리를 하였는데, 650[$^{\circ}C$]에서 열처리된 박막의 경우 표면거칠기는 약 0.42[nm]로 나타났으며, 누설전류밀도는 전압 범위 -5~+5[V]에서 10-5[$A/cm^2$] 이하로 안정된 값을 나타내었다.

Keywords