한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

고종횡비 10:1 Via 가공 및 Seed layer 스퍼터링 공정 연구

High aspect ratio 10:1 Via formation and Seed layer sputtering

  • 송영식 (한국생산기술연구원 열표면연구그룹) ;
  • 한윤호 (한국생산기술연구원 열표면연구그룹) ;
  • 엄호경 (한국생산기술연구원 열표면연구그룹) ;
  • 임태홍 (한국생산기술연구원 열표면연구그룹) ;
  • 김종렬 (한양대학교 금속재료공학과)
  • 발행 : 2012.11.08
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초록

고종횡비 10:1 비아를 Si wafer 상에 형성하기 위해 $7{\mu}m$ 직경의 마스크로 포토작업하여 Cr층을 100nm 스퍼터링하여 PR(photo resistor) 대신의 에칭 barrier 막으로 사용하였다. 얼라인, 노광, 현상을 거쳐 Cr에칭, PR 제거후 ICP(inductively coupled plasma) 공정으로 Si deep etching하여 via 직경 $10.16{\mu}m$, 깊이 $102.5{\mu}m$의 고종횡비 비아를 형성하였다. 구리필링도금을 위해서 필수적인 seed layer는 단층 또는 다층의 금속막을 스퍼터링 법으로 형성하였다. 형성된 seed layer 단면을 FE-SEM(Field emission scanning electron microscope)으로 관찰하여 내부에 seed 층의 형성 유무를 확인하였다.

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